Applying scanning electron microscopy for the ultrastructural and clinical analysis of periprosthetic capsules in implant-based breast reconstruction

La reconstruction en deux étapes par expanseur et implant est la technique la plus répandue pour la reconstruction mammmaire post mastectomie. La formation d’une capsule périprothétique est une réponse physiologique universelle à tout corps étranger présent dans le corps humain; par contre, la formation d’une capsule pathologique mène souvent à des complications et par conséquent à des résultats esthétiques sous-optimaux. Le microscope électronique à balayage (MEB) est un outil puissant qui permet d’effectuer une évaluation sans pareille de la topographie ultrastructurelle de spécimens. Le premier objectif de cette thèse est de comparer le MEB conventionnel (Hi-Vac) à une technologie plus récente, soit le MEB environnemental (ESEM), afin de déterminer si cette dernière mène à une évaluation supérieure des tissus capsulaires du sein. Le deuxième objectif est d‘appliquer la modalité de MEB supérieure et d’étudier les modifications ultrastructurelles des capsules périprothétiques chez les femmes subissant différents protocoles d’expansion de tissus dans le contexte de reconstruction mammaire prothétique. Deux études prospectives ont été réalisées afin de répondre à nos objectifs de recherche. Dix patientes ont été incluses dans la première, et 48 dans la seconde. La modalité Hi-Vac s’est avérée supérieure pour l’analyse compréhensive de tissus capsulaires mammaires. En employant le mode Hi-Vac dans notre protocole de recherche établi, un relief 3-D plus prononcé à été observé autour des expanseurs BIOCELL® dans le groupe d’approche d’intervention retardée (6 semaines). Des changements significatifs n’ont pas été observés au niveau des capsules SILTEX® dans les groupes d’approche d’intervention précoce (2 semaines) ni retardée.

Does immediate loading affect clinical and patient-centered outcomes of mandibular 2-unsplinted-implant overdenture? : a 2-year within-case analysis

Objective To provide 2-year clinical- and patient-oriented data with regard to mandibular overdenture assisted by 2 immediately loaded unsplinted implants. Material and methods In this pre-post design, Phase-I clinical trial, 18 edentate individuals (62.4 ± 7.7 years) received a new set of complete denture. Then, following standard procedures, 3 threaded implants (OsseoSpeed TX™, Dentsply Implants, Mölndal, Sweden) were placed in the mandible in each patient, and locator abutments (Zest Anchors LLC, Escondido, U.S.A.) were inserted on the right and left side implants. The midline implant served as a control for within-patient comparison. The immediate loading was conducted within 24 h of surgery. Data were collected at baseline (T0), 12 (T1) and 24 (T2) months after immediate loading. The clinical outcomes included implant survival rate, crestal bone level changes and implant stability. These criteria were assessed through clinical and radiographic examinations as well as resonance frequency analysis. Patient-centered outcomes included patient satisfaction and oral health-related quality of life measured using validated questionnaires. Brunner-Langer approach was used for statistical analysis. Results Implant survival rate for immediate loaded implants was 91.7% at 2-year follow-up. None of the unloaded implants failed. There was no statistically significant difference at baseline and follow-ups with regard to clinical outcomes between loaded and unloaded implants. Patient satisfaction and quality of life improved (p < 0.0001) from baseline to 2-year follow-up. Conclusion Immediate loading protocol did not negatively affect clinical outcomes, satisfaction and quality of life of patients wearing 2-unsplinted-implant mandibular overdenture for 2 years. This conclusion requires confirmation by randomized control trials. Clinical significance statement Mandibular overdenture assisted by two immediately-loaded unsplinted implants is successful treatment based on 2-year clinical and patient-based outcomes.

Évaluation d'un implant résorbable à base d'amidon réticulé contenant de la ciprofloxacine pour la prévention et le traitement d'une ostéomyélite expérimentale chez le chien

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

L'implant laryngé ajustable pour le traitement de paralysies de la corde vocale : technique chirurgicale et qualité de vie

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

In situ-forming injectable organogel implant for sustained release of rivastigmine

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.